硬質(zhì)材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

GDAT-A

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

硬質(zhì)材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家技術(shù)指標(biāo)

1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差

項(xiàng)    目GDAT-A

頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％

2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H

3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460

項(xiàng)    目    GDAT-A

直接測(cè)量范圍
1～460pF     主電容調(diào)節(jié)范圍      準(zhǔn)確度 30～500pF   150pF以下±1.5pF；   150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍

項(xiàng)     目

GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz

塑料材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家電感：

線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
9         100KHz      98       9.4           25mH
8         400KHz     138       11.4        4.87mH
7         400KHz    202       16           0.99mH
6           1MHz     196       13          252μH
5           2MHz     198       8.7        49.8μH
4         4.5MHz    231       7             10μH
3          12MHz      193     6.9         2.49μH
2          12MHz      229     6.4        0.508μH 
1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

介電常數(shù)測(cè)試儀根據(jù)靜電學(xué)的研究成果， 真空中一個(gè)孤立的電荷q 會(huì)在其周圍產(chǎn)生電場(chǎng)E，當(dāng)另外的一個(gè)試驗(yàn)電荷q0 進(jìn)入到該電場(chǎng)中時(shí)會(huì)受到電場(chǎng)力的作用。由電荷q 所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為：

其中， ε₀為真空中的介電常數(shù)；r 為距離點(diǎn)電荷q 的徑向距離。一般來(lái)說，電場(chǎng)強(qiáng)度是一個(gè)矢量。試驗(yàn)電荷q0 在距電荷q的距離為r 的點(diǎn)上受到的電場(chǎng)力為：

根據(jù)力的反作用性質(zhì)，電荷q 也同樣受到試驗(yàn)電荷q0所產(chǎn)生的電場(chǎng)的力的作用且作用力的大小相等方向相反。根據(jù)式(1) 可知，真空中的介電常數(shù)ε₀表征了孤立電荷q 在給定的距離r 上產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小。如果將式(1) 中的真空條件換為某種電介質(zhì)， 則同樣的孤立電荷q 所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將可表示為：

其中，ε為該種電介質(zhì)的介電常數(shù)。在實(shí)際應(yīng)用中，人們通常將真空中的介電常數(shù)ε₀選作一個(gè)參照，而將電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與ε₀的比值定義成為一個(gè)無(wú)量綱的相對(duì)介電常數(shù)ε_r，如式(4) 所示：

由于真空是一個(gè)理想的電介質(zhì)模型( 沒有原子、分子) ，所以，在實(shí)際電介質(zhì)中由于束縛電荷效應(yīng)使原電荷q所產(chǎn)生的電場(chǎng)有所下降的情況在真空中不可能出現(xiàn)。因此, 針對(duì)實(shí)際電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)Er 總是滿足大于或等于1。

由式(3) 可見，介電常數(shù)ε表示了電荷q 在電介質(zhì)中所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小的一個(gè)制約因素( 除了距離之外，也是*的制約因素) 。顯然，這種推論在靜電場(chǎng)的情況下是*可以被接受的，但是若要將這一推論直接應(yīng)用到交變電場(chǎng)的情況似乎還有些不充分。交變電場(chǎng)情況下電介質(zhì)的微觀表現(xiàn)機(jī)理與宏觀作用的研究取得了一些成果，但是仍然有待更加深入的研究，也是目前電介質(zhì)物理、量子物理的重要研究方向和內(nèi)容之一。

可以確認(rèn)的是電介質(zhì)的介電常數(shù)所表征的屬性在交變電場(chǎng)的情況下也會(huì)對(duì)交變電場(chǎng)產(chǎn)生影響。比如，交變電場(chǎng)在電介質(zhì)中的傳播速度會(huì)降低, 頻率不變，波長(zhǎng)會(huì)變短( 電磁傳播理論)并且介電常數(shù)越大，相應(yīng)的改變也會(huì)越大。

標(biāo)簽：介電常數(shù)測(cè)試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀  高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

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